Transistor Mosfet Irfz44n Irfz44
El MOSFET IRFZ44N es un transistor de tecnología MOS-FET (Metal–Oxide–Semiconductor – Field Effect Transistor).
Es un componente construido para manejar potencias altas.
Posee características que lo hacen ideal para aplicaciones de conmutación y modulación por ancho de pulso (PWM).
• Polaridad: Canal N
• Corriente Continua Maxima (Pin Drain Id): 49 A
• Tensión Drain-Source Vds: 55 V
• Resistencia de Activación Rds(on): 0.0175 ohm
• Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V
• Tensión Umbral Vgs: 2.1 V
• Disipación de Potencia Pd: 83 W
• Temperatura de Trabajo máxima: 175°C
• Temperatura de Trabajo mínima: -55 °C
• Encapsulado TO-220 con 3 pines
Es un componente construido para manejar potencias altas.
Posee características que lo hacen ideal para aplicaciones de conmutación y modulación por ancho de pulso (PWM).
• Polaridad: Canal N
• Corriente Continua Maxima (Pin Drain Id): 49 A
• Tensión Drain-Source Vds: 55 V
• Resistencia de Activación Rds(on): 0.0175 ohm
• Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V
• Tensión Umbral Vgs: 2.1 V
• Disipación de Potencia Pd: 83 W
• Temperatura de Trabajo máxima: 175°C
• Temperatura de Trabajo mínima: -55 °C
• Encapsulado TO-220 con 3 pines
